IRF7707
100
10
VGS
TOP      -7.5V
-4.5V
-3.5V
-3.0V
-2.5V
-2.0V
-1.75V
BOTTOM -1.5V
100
10
VGS
TOP      -7.5V
-4.5V
-3.5V
-3.0V
-2.5V
-2.0V
-1.75V
BOTTOM -1.5V
-1.5V
1
-1.5V
1
0.1
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
0.1
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
T J = 150 C
100
10
°
T J = 25 ° C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = -7.0A
1
1.0
1.5
2.0
2.5
V DS = -15V
20μs PULSE WIDTH
3.0     3.5
4.0
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = -4.5V
80 100 120 140 160
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料
IRF7707TRPBF MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
IRF7805QTRPBF MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
IRF7805ZGPBF MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
IRF7807D1TR MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
IRF7807D2 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
IRF7807VD2TRPBF MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
IRF7809ATR MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
IRF7811WGTRPBF MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
IRF7707PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TSSOP-8
IRF7707TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7707TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -7A 14.3mOhm 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7726 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7726HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin Micro
IRF7726PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 7A 8PIN MICRO8 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-Channel 30V 7A MSOP8
IRF7726TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7726TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -7A 26mOhm 46nC Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube